发明名称 | 一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法,该方法包括:步骤1、在绝缘基底表面涂上光刻胶;步骤2、对涂光刻胶的绝缘基底进行光刻,得到栅介质图形;步骤3、在栅介质图形上生长一层栅介质薄膜;步骤4、剥离得到栅介质图形,再次进行光刻得到源电极图形、漏电极图形和栅电极图形;步骤5、电子束蒸发源、漏和栅的电极金属,剥离得到电极图形;步骤6、蒸镀有机半导体材料,完成器件的制作。利用本发明得到的平面结构有机场效应晶体管,减少了工艺流程提高的器件的集成度。 | ||
申请公布号 | CN101800287B | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
申请号 | CN200910077679.3 | 申请日期 | 2009.02.11 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 |
分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法,其特征在于,该方法包括:步骤1、在绝缘基底表面涂上光刻胶;步骤2、对涂光刻胶的绝缘基底进行光刻,得到栅介质图形;步骤3、在栅介质图形上生长一层栅介质薄膜;步骤4、剥离该栅介质薄膜得到栅介质图形,再次进行光刻得到源电极图形、漏电极图形和栅电极图形;步骤5、电子束蒸发源、漏和栅的电极金属,剥离得到电极图形;步骤6、蒸镀有机半导体材料,完成器件的制作。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |