| 发明名称 | 显影方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种显影方法，该显影方法包括：提供晶片，所述晶片上形成有光敏材料层；显影液喷嘴从原始位置移至所述晶片表面上方喷洒第一显影液；所述显影液喷嘴移回至所述原始位置；向所述显影液喷嘴喷洒第二显影液，以清洗所述显影液喷嘴。所述第二清洗液可有效清洗所述显影液喷嘴，避免显影液喷嘴上的污染物污染晶片，提高半导体器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102269939A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201010192500.1 | 申请日期 | 2010.06.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 任亚然;安辉 |
| 分类号 | G03F7/30(2006.01)I;G03F7/32(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种显影方法，包括：提供晶片，所述晶片上形成有光敏材料层；显影液喷嘴从原始位置移至所述晶片表面上方喷洒第一显影液；所述显影液喷嘴移回至所述原始位置；向所述显影液喷嘴喷洒第二显影液，以清洗所述显影液喷嘴。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||