| 发明名称 | 光电转换装置的制法及半导体形成用溶液 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光电转换装置的制法，其包括：向含有包含I-B族元素、III-B族元素和硫属元素的单源前体的有机溶剂中，添加III-B族元素的硫属化物粉末，制作半导体形成用溶液的工序；使用所述半导体形成用溶液来形成含有I-III-VI族化合物的半导体的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102272937A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201080002210.4 | 申请日期 | 2010.03.29 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 田中勇;稻井诚一郎;大川佳英;西村太佑;山元泉太郎 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种光电转换装置的制法，其特征在于，包括：向含有包含I B族元素、III B族元素和硫属元素的单源前体的有机溶剂中，添加III B族元素的硫属化物粉末，制作半导体形成用溶液的工序；使用所述半导体形成用溶液形成含有I III VI族化合物的半导体的工序。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||