| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 薄膜晶体管，其设置有以下各元件：源电极、漏电极和栅电极三个电极；沟道层；和栅绝缘膜，其中至少所述沟道层由包括铟的金属氧化物膜制成。由此，可以获得薄膜晶体管，其可制造在高聚合物基材上的元件而不施加高温工艺，并且其能够以低成本实现高性能和高可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101622714B | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200880006112.0 | 申请日期 | 2008.01.30 |
| 申请人 | 株式会社普利司通 | 发明人 | 椎野修;岩渊芳典;樱井良;船木竜也 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其包括以下各元件：源电极、漏电极和栅电极三个电极；沟道层；和栅绝缘膜，其中所述沟道层由钛或者钨掺杂的氧化铟膜形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||