自对准的隧穿场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种隧穿场效应晶体管(TFET)的制备方法。本发明使用自对准工艺形成隧穿场效应晶体管。这种隧穿场效应晶体管的制备方法工艺简单，形成这种隧穿场效应晶体管的工艺拥有自对准特性，而且其源极和漏极的形成过程可以被分离，从而可以很容易地形成拥有和衬底材料不同的源极结构。

主权项

一种隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：①.提供一个已经形成浅槽隔离的半导体衬底；②.在所述的衬底上形成器件的栅叠层结构；③.通过光刻和刻蚀，在所述的栅叠层上形成第一个开口和第二个开口；第一开口的宽度S1小于第二开口的宽度S2；④.淀积一层由第一种绝缘介质构成的牺牲介质层，该牺牲介质层厚度大于S1/2且小于S2/2；然后对其进行各向异性刻蚀；⑤.注入离子形成第一种掺杂的区域；或者用各向同性的刻蚀方法将暴露的半导体衬底选择性地刻蚀掉，然后半导体衬底进行选择性外延生长或淀积生长新的填充材料层，该填充材料的掺杂通过生长时原位掺杂，或者生长后通过离子注入进行掺杂；⑥.去除所述的牺牲介质层，之后淀积第二种绝缘介质，构成新的牺牲介质层，并对所述的第二种绝缘介质进行各向异性刻蚀形成侧墙结构；⑦.注入离子形成第二种掺杂的区域；本步骤注入的离子类型与步骤⑤注入的离子类型相反，并选择合适的离子注入的能量和剂量，使激活后不改变步骤⑤中形成的掺杂类型；⑧.在源区和漏区形成金属层； ⑨.进行电极隔离和电极形成，形成隧穿场效应晶体管。