| 发明名称 | 通过用于晶圆到晶圆结合的化学机械抛光工艺来形成沟道式电容器和通孔连接的方法 | ||
| 摘要 | 通过沉积绝缘层（26，30）和导电层（28，32）以及使用化学机械抛光来形成沟道式电容器。所述电容器连接到通孔（48）用于与其他器件集成。包括所述电容器和通孔的所述晶圆（20）结合到另一个晶圆（74）。 | ||
| 申请公布号 | CN102272904A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201080004366.6 | 申请日期 | 2010.01.07 |
| 申请人 | 马克西姆综合产品公司 | 发明人 | J. P.埃卢尔;K.特兰;A.伯格蒙特 |
| 分类号 | H01L21/334(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/334(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 薛峰;谭祐祥 |
| 主权项 | 一种制造沟道式电容器的方法，包括：a）从衬底的第一表面在所述衬底中蚀刻第一沟道；b）以绝缘体涂覆所述衬底的第一表面和所述第一沟道；c）以导体涂覆所述衬底的第一表面上和所述第一沟道上的绝缘体；d）化学机械抛光所述衬底的第一表面以除去所述衬底的第一表面上的导体和绝缘体涂层，从而暴露出所述第一沟道中的绝缘体和导体涂层的边缘以提供与其的相互连接。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||