发明名称 一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺
摘要 本发明涉及一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺,包括引晶、放肩和转肩等径工艺过程,通过控制拉晶速度及降温速率,在转肩等径过程之前完成固液界面由凸转平过程。本发明方法有效地降低了单晶棒头部SIO4的形成,降低了头部电阻率,提高了单晶品质,适用于目前CZ直拉法生长的各尺寸单晶产品的生长。
申请公布号 CN102268726A 申请公布日期 2011.12.07
申请号 CN201110226261.1 申请日期 2011.08.09
申请人 马鞍山明鑫光能科技有限公司 发明人 马四海;张笑天;丁磊;徐大国;马先松;马青
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B15/00(2006.01)I
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人 余成俊
主权项 一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺,包括引晶、放肩和转肩等径工艺过程,其特征在于:通过控制拉晶速度及降温速率,在转肩等径过程之前完成固液界面由凸转平过程,具体操作步骤如下:(1)引晶工艺   按照常规的CZ法进行太阳能单晶生长工艺的前期操作,设备升温,待达到液面熔化温度后,进入引晶步骤,引晶工艺过程为:以3‑8mm/min的拉晶速率向上拉晶,维持细晶直径3‑5mm,待细晶长度150‑200mm,以相对较快的拉晶速度提速,缩小细晶直径1‑2mm维持长度3‑5mm,降低拉速进入放肩步骤;(2)放肩工艺   引晶结束时,进入放肩步骤, 此步骤的工艺过程为:放肩降低拉速至0.4‑0.8mm/min,维持一个线性降温速率15℃‑25℃/hr,待晶体直径放大至70‑130mm,以1.2mm/min‑3mm/min的拉速向上提升,及时降温8℃‑10℃ ,同时停止线性降温,待晶体直径稳定后,给予一个固定晶体拉速1‑1.5mm/min维持端面直径向上生长,适当的给予坩埚上升速率,待长度生长至50‑100mm,降低拉晶速度至0.4‑0.6mm/min, 开启线性降温速率,速率为前一步的110%‑120%,停止坩埚上升速率,维持晶体直径迅速长大,达到产品要求直径时,进入转肩等径步骤;(3)转肩等径工艺待晶体直径生长至产品要求直径后,以1.2mm/min‑3mm/min的拉晶速度迅速向上提升,及时降温5‑10℃ ,同时停止线性降温,给予坩埚上升速率,根据直径变化率速度,缓慢调节拉速控制,待晶体直径相对稳定后,打开自动等径控制程序,进入自动等径控制阶段。
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