一种半导体集成器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种包括多个沟槽金属氧化物半导体场效应管单元和多个沟槽肖特基镇流器单元的半导体集成器件及其制造方法。在沟槽金属氧化物半导体场效应管单元，采用沟槽式接触区，可以实现在减小器件尺寸的同时降低器件的开启电阻。

主权项

一种半导体集成器件，形成于第一导电类型的外延层中，该半导体集成器件包括多个具有沟槽式接触区的沟槽金属氧化物半导体场效应管单元和多个具有平面式接触区的沟槽肖特基整流器单元，还包括：第一导电类型的衬底，所述外延层位于该衬底之上，并且所述外延层的多数载流子浓度低于该衬底；第二导电类型的体区，位于所述沟槽金属氧化物半导体场效应管单元内，且位于所述外延层的上部分；第一导电类型的源区，位于所述沟槽金属氧化物半导体场效应管单元的有源区内，且靠近所述体区的上表面；多个第一沟槽栅，位于所述沟槽金属氧化物半导体场效应管单元内，且所述第一沟槽栅内表面衬有第一绝缘层并填充以栅极导电区域；多个第二沟槽栅，位于所述沟槽肖特基整流器单元内，与所述第一沟槽栅相邻，且所述第二沟槽栅内表面衬有所述第一绝缘层并填充以所述栅极导电区域；至少一个第三沟槽栅，用于实现与栅金属的连接，所述第三沟槽栅内表面衬有所述第一绝缘层并填充以所述栅极导电区域，且所述第三沟槽栅的宽度大于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅的宽度；第二绝缘层，覆盖所述外延层的上表面和所述第一、第二、第三沟槽栅的顶部；多个沟槽式源‑体接触区，位于所述沟槽金属氧化物半导体场效应管单元内，穿过所述第二绝缘层、所述源区并延伸入所述体区，且所述沟槽式源‑体接触区内部填充以钨插塞；第二导电类型的体接触区，位于所述体区，包围每个所述沟槽式源‑体接触区的底部，且所述体接触区的多数载流子浓度高于所述体区；至少一个平面式阳极接触区，位于所述沟槽肖特基整流器单元内，穿过所述第二绝缘层并与所述外延层的上表面形成平面接触，且所述平面式阳极接触区内部填充以所述钨插塞；至少一个平面式栅接触区，穿过所述第二绝缘层并与所述第三沟槽栅中的栅极导电区域的上表面形成平面接触，且所述平面式栅接触区内部填充以所述钨插塞；源极金属，位于所述第二绝缘层的上表面，且与位于所述沟槽式源‑体接触区和所述平面式阳极接触区中的钨插塞形成电气接触；栅极金属，位于所述第二绝缘层的上表面，且与位于所述平面式栅接触区中的钨插塞形成电气接触；漏极金属，位于所述衬底的下表面，同时也作为所述沟槽肖特基整流器单元的阴极。