发明名称 |
一种低功耗相变存储器及其写操作方法 |
摘要 |
本发明提供一种低功耗相变存储器及其写操作方法,属于相变存储器技术领域。本发明提供的相变存储器包括相变存储单元阵列、列译码器、行译码器,写驱动模块、读电路模块、锁存器和比较电路模块,比较电路模块用于控制写驱动信号是否输入至列译码器,输入列地址至列译码器实现相变存储单元阵列的列选中,输入行地址至行译码器实现相变存储单元阵列的行选中,读电路模块的读出的数据信号通过锁存器存储并输入至比较电路模块,写数据信号同时输入至写驱动模块和比较电路模块。该相变存储器具有功耗相对较低的特点。 |
申请公布号 |
CN102270498A |
申请公布日期 |
2011.12.07 |
申请号 |
CN201010191266.0 |
申请日期 |
2010.06.02 |
申请人 |
王彬 |
发明人 |
王彬 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种相变存储器,包括相变存储单元阵列、列译码器、行译码器,写驱动模块、读电路模块,输入列地址至列译码器实现相变存储单元阵列的列选中,输入行地址至行译码器实现相变存储单元阵列的行选中;其特征在于,还包括锁存器、以及用于控制写驱动信号是否输入至列译码器的比较电路模块;读电路模块的读出的数据信号通过锁存器存储并输入至比较电路模块,写数据信号同时输入至写驱动模块和比较电路模块。 |
地址 |
200023 上海市徐家汇路1弄4号503 |