| 发明名称 | 垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，其包括：NMOS垂直沟道晶体管，位于衬底上，并包括围绕垂直p沟道区的p+多晶硅栅电极；和PMOS垂直沟道晶体管，位于衬底上，并包括围绕垂直n沟道区的n+多晶硅栅电极。该NMOS和PMOS垂直沟道晶体管任选地在CMOS操作模式下可工作。 | ||
| 申请公布号 | CN101150132B | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200710087961.0 | 申请日期 | 2007.02.23 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金真怜;宋基焕 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：衬底，其包括存储核心区域和外围电路区域；和第一NMOS垂直沟道晶体管，第二NMOS垂直沟道晶体管，和PMOS垂直沟道晶体管，他们位于该衬底的该存储核心区域中；其中，该第一NMOS垂直沟道晶体管包括围绕垂直p沟道区的p+多晶硅栅电极，该第二NMOS垂直沟道晶体管包括围绕垂直p沟道区的n+多晶硅栅电极，以及该PMOS垂直沟道晶体管包括围绕垂直n沟道区的n+多晶硅栅电极，其中该第一NMOS垂直沟道晶体管的阈值电压为正，且该第二NMOS垂直沟道晶体管和该PMOS垂直沟道晶体管的阈值电压为负，以及其中该第一NMOS垂直沟道晶体管和该PMOS垂直沟道晶体管在CMOS操作模式下操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||