发明名称 |
单边栅极鳍状场效晶体管及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种单边栅极鳍状场效晶体管,包含一有源鳍状结构、一漏极掺杂区与一源极掺杂区、一绝缘区域、一沟渠绝缘结构以及一单边侧壁栅极。有源鳍状结构包含两相邻的增大头部、一超薄基部,以及衔接各增大头部与超薄基部的一渐缩颈部。漏极掺杂区与源极掺杂区分别位于两相邻的增大头部。绝缘区域位于增大头部间。沟渠绝缘结构位于音叉形鳍状结构的一侧。单边侧壁栅极位于沟渠绝缘结构相反侧的有源鳍状结构的侧壁上。 |
申请公布号 |
CN102270661A |
申请公布日期 |
2011.12.07 |
申请号 |
CN201110065452.4 |
申请日期 |
2011.03.17 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
任兴华 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 |
代理人 |
宋子良;张奇巧 |
主权项 |
一种单边栅极鳍状场效晶体管,其特征在于,包含:一有源鳍状结构,包含两相邻的增大头部、一超薄基部,以及衔接各所述增大头部与所述超薄基部的一渐缩颈部;一漏极掺杂区与一源极掺杂区,分别位于所述两相邻的增大头部;一绝缘区域,位于所述增大头部间;一沟渠绝缘结构,位于所述有源鳍状结构的一侧;以及一单边侧壁栅极,位于所述沟渠绝缘结构相反侧的所述有源鳍状结构的侧壁上。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |