| 发明名称 | 具有脒衍生物配体的新型锗络合物及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化学式1表示的锗络合物：[化学式1]<img file="dpa00001400595300011.GIF" wi="279" he="267" />其中，Y<sup>1</sup>和Y<sup>2</sup>独立地选自R<sup>3</sup>、NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>或OR<sup>6</sup>，且R<sup>1</sup>至R<sup>6</sup>独立地表示(C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>)烷基。本发明提供的具有脒衍生物配体的锗络合物热稳定、易挥发且不含有卤素组分。因此，其可作为前体用于制备高质量的锗薄膜或通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)或原子层沉积(ALD)制备含锗化合物薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102272140A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201080004271.4 | 申请日期 | 2010.01.07 |
| 申请人 | 韩国泰科诺赛美材料株式会社 | 发明人 | 郑在善;尹洙亨;金旻赞;韩诚元;朴容主;辛守丁;成耆焕;李相京 |
| 分类号 | C07F7/30(2006.01)I | 主分类号 | C07F7/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 谢顺星 |
| 主权项 | 1.一种化学式1表示的锗络合物：[化学式1]<img file="FPA00001400595500011.GIF" wi="280" he="266" />其中，Y<sup>1</sup>和Y<sup>2</sup>独立地选自R<sup>3</sup>、NR<sup>4</sup>R<sup>5</sup>或OR<sup>6</sup>，且R<sup>1</sup>至R<sup>6</sup>独立地表示(C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>)烷基。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||