发明名称 | 一种用于高温预置涂层的电子束熔覆改性方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种材料表面涂层改性的处理方法,具体涉及一种高温预置涂层电子束熔覆改性的工艺方法,属于材料表面处理技术领域。其具体步骤为:以铌钨合金为基材,然后经过打磨、抛光、去油、酸洗、清洗以及干燥工序;把硅化物粉末制成涂层料浆,然后涂覆在步骤1)中的基材表面,在真空烧结炉中进行烧结预置,得到预置涂层样件;将预置涂层样件放置到距离电子枪100~300mm处。本发明在真空环境条件下的熔覆过程将能获得更好的处理效果,工艺简单,避免了大气环境对涂层材料的破坏,工作效率高,铌钨合金表面具有一定厚度、表面颗粒排列整齐有序、表面平整度良好的耐热抗氧化涂层,大幅提高了工件的耐高温性能和抗冲刷性能。 | ||
申请公布号 | CN101962767B | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
申请号 | CN201010522826.6 | 申请日期 | 2010.10.26 |
申请人 | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 | 发明人 | 何俊;刘志栋;陈威;张涛;张永和 |
分类号 | C23C24/10(2006.01)I | 主分类号 | C23C24/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人 | 张利萍 |
主权项 | 一种用于高温预置涂层的电子束熔覆改性方法,其特征在于其具体步骤为:1)基材的制备:以铌钨合金为基材,制成80×20×1mm的样件,然后经过打磨、抛光、去油、酸洗、清洗以及干燥工序;2)预置涂层:把硅化物粉末制成涂层料浆,然后涂覆在步骤1)中的基材表面,在真空烧结炉中进行烧结预置,得到预置涂层样件;硅化物由Si、Mo、W组成,其质量比1∶1∶1;真空烧结炉中的真空度为1×10‑2~10×10‑2Pa,温度为1200~1800℃,烧结时间为1~12小时;3)电子束熔覆改性:将步骤2)得到的预置涂层样件放置在真空电子束加工设备工作台上进行电子束熔覆改性工作,将预置涂层样件放置到距离电子枪100~300mm处;电子束熔覆改性工艺参数为:电子束功率为4.5~12.0KW,束斑直径为10~20mm,扫描波形频率为50~2000Hz,扫描速度为5~20mm/s,扫描搭接区域宽度为2~4mm。 | ||
地址 | 730000 甘肃省兰州市94号信箱 |