半平面雪崩光电二极管

摘要

一种雪崩光电探测器被公开。根据本发明各个方面的装置包括限定在第一类型半导体中的台面结构。第一类型半导体材料包括光耦合地接收并吸收光束的吸收区。该装置还包括限定在第二类型半导体材料中与所述台面结构紧邻并与其分离的平面区。平面区包括倍增区，该倍增区包括邻接n掺杂区的p掺杂区以在所述倍增区中产生高电场。该高电场用于倍增响应台面结构中接收的光束的吸收而光生的电荷载流子。

主权项

一种用于光电探测的装置，该装置包括：限定在第一类型半导体中的台面结构，所述第一类型半导体材料包括被光耦合以接收并吸收光束的吸收区；以及限定在第二类型半导体材料中、与所述台面结构紧邻但与其分离的平面区，所述平面区包括倍增区，该倍增区包括邻接n掺杂区的p掺杂区以在所述倍增区中产生高电场，从而倍增响应于对所述台面结构中接收到的所述光束的吸收而光生的电荷载流子，其中所述平面区还包括设置在所述第二类型半导体材料的所述平面区中并围绕所述台面结构的保护环结构，其中所述保护环结构是位于所述吸收区与所述倍增区之间界面处的浮置保护环。