| 发明名称 | AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管器件及其制作方法，它涉及到微电子技术领域，主要解决器件频率低和抗辐射性能差的问题。该器件包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层、GaN冒层、栅氧化层和栅、源、漏电极，其中栅氧化层采用Al2O3，栅电极采用透明的ZnO。该ZnO栅电极中掺有Al元素，其长度与源漏之间的距离相等。本发明器件的制作过程依次是：先进行外延材料生长，再制作Al2O3栅氧化层和ZnO栅电极，最后利用自对准的方法在ZnO栅电极的两侧制作源漏电极。本发明具有频率特性好，抗辐照特性好，且工艺简单，重复性好，可靠性高的优点，可作为高频和高速电路中的电子元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101710590B | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200910218717.2 | 申请日期 | 2009.10.30 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 马晓华;郝跃;曹艳荣;王冲;高海霞;杨凌 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 一种AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：A.材料生长步骤：在蓝宝石基片上，利用MOCVD工艺，按照自下而上的顺序生长GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层和GaN冒层；B.器件栅电极制作步骤：(B1)采用原子层淀积ALD方法在GaN冒层上淀积Al2O3，淀积厚度为5‑10nm，温度为300℃；(B2)在淀积的Al2O3层上，溅射一层掺2％的Al元素的ZnO薄膜，淀积厚度为100‑300nm；(B3)用干法自上而下刻蚀ZnO和Al2O3薄膜层，形成ZnO栅电极；C.器件源漏电极制作步骤：(Cl)以ZnO栅电极为基准，采用自对准方法，对ZnO栅极两侧的GaN冒层和Al0.3Ga0.7N层进行2‑8×1015/cm2的Si+注入，形成源漏区域，使ZnO栅电极的长度与源区和漏区之间的距离相等；(C2)采用电子束蒸发工艺，在源漏电极图形区蒸发欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au，500℃退火，形成源漏电极，完成器件制作。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||