| 发明名称 | 压电薄膜谐振器与滤波器 | ||
| 摘要 | 一种压电薄膜谐振器，包括：形成于衬底上的下电极，形成于所述下电极上的压电膜，以及形成于所述压电膜上的上电极。在所述的压电薄膜谐振器中，所述上电极具有比下电极更厚的膜厚。 | ||
| 申请公布号 | CN1862959B | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200610080180.4 | 申请日期 | 2006.05.10 |
| 申请人 | 太阳诱电株式会社 | 发明人 | 西原时弘;横山刚;谷口真司;坂下武;堤润;岩城匡郁;上田政则 |
| 分类号 | H03H9/15(2006.01)I;H03H9/54(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 孙海龙 |
| 主权项 | 一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：下电极，形成于衬底上；压电膜，形成于所述的下电极上；以及上电极，形成于所述的压电膜上；其中，所述上电极具有比所述下电极更厚的膜厚，并且其中，0.1＜d1/d2，d1为上电极与下电极的膜厚的和，d2为所述压电膜的膜厚。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||