发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体器件及其制造方法,其中在切割出半导体芯片之后,将In-10原子%Ag球置于金属膜上。接下来,将加强件上的环氧板粘贴到陶瓷衬底上。此时,In合金球夹在突出部分与金属膜之间。随后,通过加热、熔化、并随后冷却In合金球,In合金球由此形成In合金膜。结果,经由上述金属膜和In合金膜将半导体芯片与散热器相接合。 |
申请公布号 |
CN101150102B |
申请公布日期 |
2011.12.07 |
申请号 |
CN200710146867.8 |
申请日期 |
2007.08.24 |
申请人 |
富士通半导体股份有限公司 |
发明人 |
栗田行树;井川治 |
分类号 |
H01L23/373(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/373(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张龙哺 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:半导体芯片,所述半导体芯片的背面上形成有金属膜;衬底,安装所述半导体芯片;以及散热部件,设置在所述半导体芯片和所述衬底的背面上,所述半导体芯片的所述背面上的所述金属膜与所述散热部件以In合金膜相接合。 |
地址 |
日本神奈川县横浜市 |