发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 一种半导体器件及其制造方法,其中在切割出半导体芯片之后,将In-10原子%Ag球置于金属膜上。接下来,将加强件上的环氧板粘贴到陶瓷衬底上。此时,In合金球夹在突出部分与金属膜之间。随后,通过加热、熔化、并随后冷却In合金球,In合金球由此形成In合金膜。结果,经由上述金属膜和In合金膜将半导体芯片与散热器相接合。
申请公布号 CN101150102B 申请公布日期 2011.12.07
申请号 CN200710146867.8 申请日期 2007.08.24
申请人 富士通半导体股份有限公司 发明人 栗田行树;井川治
分类号 H01L23/373(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L23/373(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 张龙哺
主权项 一种半导体器件,包括:半导体芯片,所述半导体芯片的背面上形成有金属膜;衬底,安装所述半导体芯片;以及散热部件,设置在所述半导体芯片和所述衬底的背面上,所述半导体芯片的所述背面上的所述金属膜与所述散热部件以In合金膜相接合。
地址 日本神奈川县横浜市