| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括电极焊盘(37)和突起部(51)，该电极焊盘(37)形成在基板(11)上的芯片区域(12)上，该突起部(51)连续形成在在芯片区域(12)内且比电极焊盘(37)更靠外侧的区域上，以包围芯片区域(12)的内侧。突起部(51)形成为比电极焊盘(37)高。 | ||
| 申请公布号 | CN102272903A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200980154209.0 | 申请日期 | 2009.12.28 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 三木启司 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/301(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于：该半导体装置包括：电极焊盘，该电极焊盘形成在基板上的芯片区域；以及突起部，该突起部连续形成在所述芯片区域内且比电极焊盘更靠外侧的区域上，以包围所述芯片区域内侧；并且所述突起部形成为比所述电极焊盘高。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||