薄膜晶体管及其制造方法和电子设备

摘要

本发明提供了一种具有改进性能的薄膜晶体管及其制造方法和具有该薄膜晶体管的电子设备。所述薄膜晶体管包括栅电极、有机半导体层和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层布置在所述栅电极与所述有机半导体层之间并与所述有机半导体层相邻接。在所述栅极绝缘层所含有的材料中，第一单体与第二单体共聚且交联，所述第一单体是苯乙烯和苯乙烯衍生物中的至少一种，所述第二单体具有碳-碳双键和交联反应基团。根据本发明，改善了所述薄膜晶体管的所述栅极绝缘层的耐溶剂性、热稳定性和致密性，从而改善了所述薄膜晶体管的性能。

主权项

一种薄膜晶体管，其包括：栅电极；有机半导体层；以及栅极绝缘层，其布置在所述栅电极与所述有机半导体层之间，并与所述有机半导体层相邻接，其中，在所述栅极绝缘层所含有的材料中，第一单体与第二单体共聚且交联，所述第一单体是苯乙烯和苯乙烯衍生物中的至少一种，所述第二单体具有碳‑碳双键和交联反应基团。