发明名称 |
相变存储单元及相变存储器 |
摘要 |
本发明提出一种相变存储单元和相变存储器。相变存储单元包括开关晶体管;相变单元;写入单元和读取单元;第一开关,第一开关连接在读取单元和相变单元之间;第二开关,第二开关连接在写入单元和相变单元之间;和判断单元,判断单元的第一输入端与相变单元的另一端相连,判断单元的第二输入端与参考电压相连,且判断单元根据第一输入端和第二输入端的输入判断是否输出写入完成信号。通过本发明实施例能够实现对相变存储单元的同步验证,不仅提高了写入验证的速度,而且还可以明显地提高写入结果的可靠性。此外,与现有技术相比,由于不用调取读取电路进行验证,因此降低了写入验证逻辑的复杂性,减少了器件功耗。 |
申请公布号 |
CN102270505A |
申请公布日期 |
2011.12.07 |
申请号 |
CN201110173532.1 |
申请日期 |
2011.06.24 |
申请人 |
北京时代全芯科技有限公司 |
发明人 |
洪红维;黄崇礼 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
黄德海 |
主权项 |
一种相变存储单元,其特征在于,包括:开关晶体管,所述开关晶体管的一端接地,且所述开关晶体管的栅极与字线相连;相变单元,所述相变单元的一端与所述开关晶体管相连;写入单元和读取单元;第一开关,所述第一开关连接在所述读取单元和所述相变单元之间;第二开关,所述第二开关连接在所述写入单元和所述相变单元之间;判断单元,所述判断单元的第一输入端与所述相变单元的另一端相连,所述判断单元的第二输入端与参考电压相连,且所述判断单元根据所述第一输入端和第二输入端的输入判断是否输出写入完成信号。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区宏达北路12号创新大厦A座1区4层418室 |