| 发明名称 | 具有熔丝型硅通孔的3D芯片叠层 | ||
| 摘要 | 在硅芯片中的可编程熔丝型硅通孔(TSV)具有在相同芯片中的不可编程TSV。所述可编程熔丝型TSV可利用在TSV结构内的具有侧壁间隔物的区域，该侧壁间隔物限制了邻近芯片表面接触衬垫的TSV的横截导电路径。通过编程电路施加充足电流会造成金属的电迁移，从而在所述接触衬垫中产生孔隙，因而造成开放电路。编程可通过多层芯片叠层中的两个邻近芯片上的互补电路来实施。 | ||
| 申请公布号 | CN102272916A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200980154302.1 | 申请日期 | 2009.11.25 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 王平川;冯凯棣;L·L-C·许;杨志坚 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种电子封装，其包含：至少一个芯片，其具有用于到其它电子结构的芯片互连的至少一个可编程熔丝型硅通孔结构。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||