| 发明名称 | 包括双栅极结构的半导体装置及形成此类半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示包括双栅极结构的半导体装置及形成此类半导体装置的方法。举例来说，揭示包括以下各项的半导体装置：第一栅极堆叠，其可包括由第一材料形成的第一导电栅极结构；及第二栅极堆叠，其可包括由所述第一材料的氧化物形成的电介质结构。再举例来说，还揭示包括以下步骤的方法：在半导体衬底上方形成高K电介质材料层；在所述高K电介质材料层上方形成第一导电材料层；氧化所述第一导电材料层的一部分以将所述第一导电材料层的所述部分转换为电介质材料层；及在所述导电材料层及所述电介质材料层两者上方形成第二导电材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN102272906A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200980153664.9 | 申请日期 | 2009.12.29 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 杰德布·戈斯瓦米 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包含：至少一个双栅极结构，其包含：第一栅极堆叠，其包含：由第一材料形成的第一导电栅极结构；及第二栅极堆叠，其包含：由所述第一材料的氧化物形成的电介质结构，所述电介质结构具有大致等同于所述导电栅极结构的厚度的厚度。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||