存储元件和存储器

摘要

本发明提供了一种存储元件。该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层，其中，通过中间层为该存储层提供磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，以堆叠方向注入自旋极化电子来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层中，以及使微细氧化物分散在形成了存储层的铁磁层的整个或部分中。

主权项

一种存储元件，包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息，其中通过中间层对所述存储层设置磁化固定层，所述中间层由绝缘体形成，自旋极化电子以堆叠方向注入以改变所述存储层的磁化方向，从而将信息记录在所述存储层中，以及微细氧化物分层分布在形成所述存储层的铁磁层的整个或部分中，其中，根据存储层的总体积，氧化物的体积比为大于等于5％至小于等于40％，以及其中，所述氧化物的簇每个均具有1nm到3nm的尺寸。