具有升温气体注入的化学气相沉积

摘要

一种化学气相沉积的反应器和方法。引导例如包括第III族金属源以及第V族金属源的反应气体，至旋转圆盘状反应器的反应室（10）内，并向下地引导该气体至晶片载体（32）以及基片（40）以沉积例如第III-V族半导体化合物，该晶片载体以及基片保持升高的基片温度，通常大于约400℃，并通常为700-1100℃。气体在进气温度理想地高于约75℃，并最优选为100-350℃时引入反应室。反应室壁的温度处于接近进气温度。使用升高的进气温度可以实现晶片载体的较低转速，更高的操作压力，更低的流速或它们的组合。

主权项

一种化学气相沉积的方法，其特征在于，包括：(a)将一个或多个基片支撑在反应室内的载体上，使得基片的表面在反应室内面朝上方，同时使载体绕着垂直轴旋转，并保持基片处于400℃或更高的温度；(b)将包括第III族金属源以及第V族元素源的气体从位于基片上方的进气口元件处导入反应室内，使得气体向下流向基片，并在基片表面上背离垂直轴向外流动，且在基片上反应生成第III‑V族化合物，反应气体在导入反应室时处于约75℃以上的进气温度。