p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件

摘要

本发明涉及SOI基上LDMOS器件。本发明针对现有技术的器件未成熟击穿的问题，以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的矛盾，公开了一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本发明的技术方案是，p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括沿Y方向自下而上的衬底、埋氧层、n型掺杂层；所述n型掺杂层X方向一端形成源极n阱，另一端形成漏极p阱，源极n阱和漏极p阱之间为漏极扩展区；所述漏极扩展区由沿Z方向交错并排的n型杂质条和p型杂质条构成，所述n型杂质条和p型杂质条X方向的两端分别与源极n阱和漏极p阱相接。本发明提高了器件耐压的同时，降低了器件导通电阻，非常适合用于制造PDP寻址集成电路。

主权项

p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括自下而上的衬底、埋氧层、n型掺杂层；所述n型掺杂层一端形成源极n阱，另一端形成漏极p阱，源极n阱和漏极p阱之间为漏极扩展区；其特征在于，所述漏极扩展区由交错并排的n型杂质条和p型杂质条构成，所述n型杂质条和p型杂质条的两端分别与源极n阱和漏极p阱相接，所述p型杂质条掺杂浓度等于或略大于n型杂质条掺杂浓度。