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发明名称 MONOLITHIC VERTICAL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SCHOTTKY BARRIER DIODE FABRICATED FROM SILICON CARBIDE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 EP1779435(B1) 申请公布日期 2011.12.07
申请号 EP20050858028 申请日期 2005.07.08
申请人 SEMISOUTH LABORATORIES, INC.;MISSISSIPPI STATE UNIVERSITY 发明人 MAZZOLA, MICHAEL, S.;MERRETT, JOSEPH, N.
分类号 H01L27/08;H01L21/82;H01L27/06;H01L27/098;H01L29/15 主分类号 H01L27/08
代理机构 代理人
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