| 发明名称 | 一种相变材料抛光后清洗液 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改善化学机械抛光工艺控制和提高相变存储器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102268332A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201010189161.1 | 申请日期 | 2010.06.01 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 王良咏;宋志棠;刘波;刘卫丽;钟旻;封松林 |
| 分类号 | C11D1/86(2006.01)I;C11D1/62(2006.01)I;C11D1/72(2006.01)I;C11D1/04(2006.01)I;C11D3/04(2006.01)I;C11D3/28(2006.01)I | 主分类号 | C11D1/86(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
| 主权项 | 一种相变材料抛光后清洗液，包括氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和水性介质。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||