| 发明名称 | LDMOS晶体管结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种LDMOS晶体管结构及其形成方法，所述LDMOS晶体管结构包括：半导体衬底；覆盖所述半导体衬底的外延层；位于所述外延层上的相邻接的栅介质层和场氧化层；栅电极，覆盖所述栅介质层并延伸至所述场氧化层上；位于所述栅电极一侧的外延层中的体区；位于所述体区中的源区；位于所述栅电极另一侧的外延层中的漏区；位于所述栅电极上方的导电场板，所述导电场板通过通孔与所述栅电极电连接。本发明能够减小漏区的电场强度，有利于提高器件的安全工作区以及击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102270664A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201110257377.1 | 申请日期 | 2011.09.01 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 刘建华 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种LDMOS晶体管结构，包括：半导体衬底；覆盖所述半导体衬底的外延层；位于所述外延层上的相邻接的栅介质层和场氧化层；栅电极，覆盖所述栅介质层并延伸至所述场氧化层上；位于所述栅电极一侧的外延层中的体区；位于所述体区中的源区；位于所述栅电极另一侧的外延层中的漏区；其特征在于，还包括：位于所述栅电极上方的导电场板，所述导电场板通过通孔与所述栅电极电连接。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||