发明名称 一种异质结太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池制备技术领域。所述太阳能电池包括金属栅电极、导电薄膜、非晶硅薄膜、黑硅层、晶硅和金属背电极;金属背电极位于晶硅的背面,黑硅层位于晶硅上,非晶硅薄膜位于黑硅层上,导电薄膜位于非晶硅薄膜上,金属栅电极位于导电薄膜上。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。本发明通过在黑硅结构上制备非晶硅薄膜,形成异质结太阳能电池,提高了太阳能电池的开路电压和短路电流,进而大大提高了太阳能电池的转化效率。
申请公布号 CN102270668A 申请公布日期 2011.12.07
申请号 CN201110263401.2 申请日期 2011.09.07
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 夏洋;刘邦武;沈泽南;李超波;刘杰;李勇滔
分类号 H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 主分类号 H01L31/0216(2006.01)I
代理机构 北京市德权律师事务所 11302 代理人 刘丽君
主权项 一种异质结太阳能电池,其特征在于,包括金属栅电极、导电薄膜、非晶硅薄膜、黑硅层、晶硅和金属背电极;所述金属背电极位于所述晶硅的背面,所述黑硅层位于所述晶硅上,所述非晶硅薄膜位于所述黑硅层上,所述导电薄膜位于所述非晶硅薄膜上,所述金属栅电极位于所述导电薄膜上。
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号