提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法

摘要

本发明提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，属于以Si作为衬底生长GaN基LED的技术领域；所要解决的技术问题是提供一种能够提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法；采用的技术方案为：提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，按以下步骤进行：第一步、用SiO2作为衬底的底层；第二步、用Si作为衬底的第二层；第三步：在Si层上生长GaN层；本发明利用GaN、Si和SiO2这几种不同材料的界面反射效应，减少衬底材料对蓝绿光的吸收，提高了LED的出光效率。

主权项

1.提高硅衬底上蓝绿光LED出光效率的方法，其特征在于：按以下步骤进行：第一步、用SiO₂作为衬底的底层，SiO₂层(3)的厚度的计算公式为：其中：λ为蓝绿光的波长，n₂为SiO₂的折射率，k为整数。第二步、用Si作为衬底的第二层，Si层(2)的厚度的计算公式为：其中：λ为蓝绿光的波长，n₁为Si的折射率，k为整数。第三步：在Si层上生长GaN层(1)。