| 发明名称 | 一种半导体应变硅片成型方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体应变硅片成型方法，包括以下步骤：先将单晶硅片切成所需厚度大片状，研磨、抛光后制作电极；然后按产品所需尺寸，在大片状硅片上刻槽；再在大片状硅片刻槽面进行涂复保护；最后，使用硫酸等酸性溶液腐蚀大片状硅片刻槽背面，直至硅片沿所述的刻槽处断开为止。本发明提供的加工方法提高了材料利用率，尺寸精度易于保证，产品质量稳定，生产效率高，一致性好，生产成本降低。 | ||
| 申请公布号 | CN102270569A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201110130769.1 | 申请日期 | 2011.05.20 |
| 申请人 | 蚌埠天光传感器有限公司 | 发明人 | 黄若丰;杨强;马津生;张 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人 | 方峥 |
| 主权项 | 一种半导体应变硅片成型方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、先将单晶硅片切成所需厚度大片状，制作电极；（2）、按产品所需尺寸，在大片状硅片上刻槽；（3）、在大片状硅片刻槽面进行涂复保护；（4）、使用化学材料腐蚀大片状硅片刻槽背面的表面，得到条状的硅片。 | ||
| 地址 | 233010 安徽省蚌埠市高新区嘉和路118号 | ||