| 发明名称 | 用于CVD反应器中的基板的表面温度的温度控制的装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有多个旋转台(2)的CVD反应器，所述旋转台支承于动态气体垫(3)上的旋转驱动衬托器(1)，其中每个气体垫(3)由单独控制的气体流形成，每个气体流，取决于由温度测量装置(4)测量的表面温度，可由单独致动器(5)改变。本发明还包括承载件(6)，承载衬托器(1)并且随着衬托器(1)旋转。共用气体供给管线(7)终端于承载件(6)，其为本发明的关键并且为布置在承载件(6)上的致动器(5)提供形成气体流的气体。 | ||
| 申请公布号 | CN101680092B | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200880019024.4 | 申请日期 | 2008.06.03 |
| 申请人 | 艾克斯特朗股份公司 | 发明人 | 沃尔特·弗兰肯;约翰尼斯·卡普勒 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/458(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 王冉 |
| 主权项 | 一种CVD反应器，具有承载于旋转受驱动衬托器(1)上的动态气体垫(3)的多个旋转台(2)，每个气体垫(3)由单独控制的气体流形成，每个气体流是借助单独控制元件(5)根据由温度测量装置(4)测量的表面温度可进行变化的，并且具有承载件(6)，所述承载件承载衬托器(1)并且随着衬托器(1)旋转，其特征在于，共用的气体供给管线(7)，所述气体供给管线通向承载器(6)中，采用该气体供给管线，设置在承载件(6)上的控制元件(5)被供给有形成气体流的气体。 | ||
| 地址 | 德国黑措根拉特 | ||