| 发明名称 | 液晶显示器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种液晶显示器件及其制造方法。该液晶显示器件，包括：在基板非显示区域中的p-型驱动薄膜晶体管和n-型驱动薄膜晶体管以及在基板显示区域中的像素薄膜晶体管，其中p-型、n-型和像素薄膜晶体管每一个都包括多晶硅半导体图案、在多晶硅半导体图案上的栅极、和栅极上的源极和漏极；在多晶硅半导体图案和栅极之间的栅绝缘层；在栅极与源极和漏极之间的层间绝缘膜；彼此交叉从而确定显示区域的像素区域的栅线和数据线；像素区域中的像素电极；和与像素薄膜晶体管连接的存储电容器，其中存储电容器包括第一存储电极，其具有从像素薄膜晶体管的多晶硅半导体图案延伸的存储多晶硅半导体图案和在存储多晶硅半导体图案正上方的存储图案、在栅绝缘层上的第二存储电极、和从像素薄膜晶体管的漏极延伸的第三存储电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101614921B | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200910159473.5 | 申请日期 | 2006.06.14 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司 | 发明人 | 安智煐;朴容仁 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种液晶显示器件，包括：在基板非显示区域中的p‑型驱动薄膜晶体管和n‑型驱动薄膜晶体管以及在基板显示区域中的像素薄膜晶体管，其中p‑型、n‑型驱动薄膜晶体管和像素薄膜晶体管每一个都包括多晶硅半导体图案、在多晶硅半导体图案上的栅极、和栅极上的源极和漏极；在多晶硅半导体图案和栅极之间的栅绝缘层；在栅极与源极和漏极之间的层间绝缘膜；彼此交叉从而确定显示区域的像素区域的栅线和数据线；像素区域中的像素电极；和与像素薄膜晶体管连接的存储电容器，其中存储电容器包括第一存储电极，其具有从像素薄膜晶体管的多晶硅半导体图案延伸的存储多晶硅半导体图案和在存储多晶硅半导体图案正上方的存储图案、在栅绝缘层上的第二存储电极、和从像素薄膜晶体管的漏极延伸的第三存储电极，其中所述存储图案的轮廓设置在存储多晶硅半导体图案的轮廓内，并且所述存储多晶硅半导体图案具有离子。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||