一种金属纳米晶存储器栅叠层的制备方法

摘要

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种金属纳米晶存储器栅叠层的制备方法。具体步骤包括：在单晶硅衬底上淀积一层隧穿层；在隧穿层上旋涂一层聚酰亚胺膜；将阳极氧化铝模板放置在聚酰亚胺膜上，作为刻蚀掩膜；对聚酰亚胺膜进行反应离子刻蚀，形成聚酰亚胺掩膜；去除阳极氧化铝模板；在聚酰亚胺掩膜中淀积一层超薄金属；采用lift-off技术去除聚酰亚胺掩膜；淀积一层阻挡层；淀积栅电极。本发明以阳极氧化铝作为非光刻掩模板，所形成的纳米晶阵列具有很高的密度，而且大小分布均匀。

主权项

一种金属纳米晶存储器栅叠层的制备方法，其特征在于采用阳极氧化铝模板作为反应离子束刻蚀阻挡层，在聚酰亚胺薄膜中形成与氧化铝模板相同的纳米孔阵列；去除氧化铝模板，再通过溅射的方法淀积一层厚度为3—10纳米的超薄金属；然后去除聚酰亚胺薄膜，即形成高密度、分布均匀的纳米晶阵列。