| 发明名称 | 使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器 | ||
| 摘要 | 一种用于制造能够发射蓝光的激光器的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导以及镜。 | ||
| 申请公布号 | CN101578744B | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200680027273.9 | 申请日期 | 2006.06.20 |
| 申请人 | 宾奥普迪克斯股份有限公司 | 发明人 | A·A·贝法;A·T·舒瑞莫;C·B·斯塔加瑞舒;万纳特亚 |
| 分类号 | H01S5/02(2006.01)I;C30B25/04(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种制造光子学器件的方法，包括：在晶片上外延沉积基于AlGaInN的半导体；蚀刻所述半导体以在所述晶片上形成光子学器件刻面；形成用于所述光子学器件的电接触点；测试所述晶片上的所述光子学器件；以及此后将所述晶片分成单个的，以分离所述光子学器件从而进行封装，其中所述蚀刻包括在所述基于AlGaInN的半导体结构上，使用高温稳定的掩模；以及在CAIBE中使用超过500℃的温度在所述结构中形成刻面。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||