发明名称 |
一种制作纳米级图形的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制作纳米级图形的方法,该纳米级图形是将图形数据转化成二进制信号控制微动台二维x-y方向的运动和金属尖端电压的加载,利用尖端加载电压后产生的电子束对电子抗蚀剂进行曝光获得的,包括:在样品表面涂上一层电致抗蚀剂薄膜,在微动台上固定金属微尖端;将涂有电致抗蚀剂薄膜的样品加载到微动台上,与微尖端保持一定的距离;将装载有金属尖端和样品的微动台放置到真空腔体中,并利用真空泵对腔体抽真空;利用软件编程将被加工图形数据转换成二进制信号,用该二进制码控制微动台做二维x-y方向的运动,并给金属微尖端加载电压,通过在强电场下尖端发射的低能电子束对电子抗蚀剂进行曝光;对曝光后的样品进行显影、定影。本发明有效地解决了浸没式光刻成本高和聚焦电子束存在邻近效应影响分辨率的问题。 |
申请公布号 |
CN101441410B |
申请公布日期 |
2011.12.07 |
申请号 |
CN200710177797.2 |
申请日期 |
2007.11.21 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
傅剑宇;陈大鹏;景玉鹏;欧毅;叶甜春 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种制作纳米级图形的方法,其特征在于,该纳米级图形是将图形数据转化成二进制信号控制微动台二维x‑y方向的运动和金属尖端电压的加载,利用尖端加载电压后产生的电子束对电子抗蚀剂进行曝光获得的,该方法包括:在样品表面涂上一层电致抗蚀剂薄膜,在微动台上固定金属微尖端,金属微尖端被固定在微动台的顶部,尖端向着平台方向;将涂有电致抗蚀剂薄膜的样品加载到微动台上,与微尖端保持一定的距离;将装载有金属尖端和样品的微动台放置到真空腔体中,并利用真空泵对腔体抽真空,使真空度满足金属尖端场致发射的条件;利用软件编程将被加工图形数据转换成二进制信号,用该二进制码控制微动台做二维x‑y方向的运动,并给金属微尖端加载电压,通过在强电场下尖端发射的低能电子束对电子抗蚀剂进行曝光;对曝光后的样品进行显影、定影,完成在电致抗蚀剂上纳米级图形的制作。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |