一种半导体抗浪涌保护器件的结构

摘要

本实用新型公开了一种半导体抗浪涌保护器件的结构，由两个或四个保护单元组成，每个保护单元均由一个PN结二极管、一个PNPN型晶闸管和一个NPN三极管连接构成，在N型半导体衬底基片正面的NPN三极管发射区采用了场板结构；其发射区自上而下采用了N+及N-两次掺杂。本实用新型可应用于程控交换机上对用户线接口电路(SLIC)板实现保护，以上改进可以有效控制NPN三极管的共基极电流放大倍数，提高EB结的反向击穿电压，从而提高器件的保护工作电压，使其达到170V以上。

主权项

一种半导体抗浪涌保护器件的结构，包括基片（9），其特征在于：在所述的基片（9）上一对角线上设置晶闸管区（11），另一对角线上设置二极管区（10），中间设置三极管区（12）；所述的晶闸管区（11）包括所述的基片（9）上从上到下掺杂形成晶闸管N+扩散区、晶闸管P扩散区（14）、未掺杂的晶闸管N区、最下面是掺杂的晶闸管背面P+区（15）；所述的二极管区（10）在所述的基片（9）上面掺杂形成二极管P+区，基片（9）下面掺杂形成的二极管N+区（17）；所述的三极管区（12）从上到下掺杂形成的三极管N+发射区（21）、三极管P区（23）和三极管N+区（16）；在所述的晶闸管区（11）、二极管区（10）和三极管区（12）的下侧设置有背面金属层（18），在所述的晶闸管区（11）、二极管区（10）的上面设置有正面金属层（19），在所述的三极管区（12）上面设置有场板（22），所述的场板（22）的边缘大于所述的三极管区（12）的三极管N+发射区，在所述的晶闸管区（11）、二极管区（10）和三极管区（12）的上面，晶闸管区（11）、二极管区（10）和三极管区（12）之间填充绝缘介质层（20）。