| 发明名称 | 具有边缘光提取的拼接OLED装置 | ||
| 摘要 | 一种区域发射发光二极管(LED)装置(10)包括：基板(30)，该基板(30)具有内基板表面(34)、与该内基板表面相对的外基板表面(35)、以及基板边缘(36)；在所述内基板表面(34)上形成的区域发射LED像素(14)的阵列，并且在所述基板边缘(36)与所述内基板表面(34)上最靠近所述基板边缘(36)的LED像素(14A)之间具有边缘间隙(20)；以及被形成在所述边缘间隙(20)中并且至少部分地在所述LED像素(14、14A)外部的光提取结构(60)。 | ||
| 申请公布号 | CN102272974A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN200980154398.1 | 申请日期 | 2009.11.03 |
| 申请人 | 全球OLED科技有限责任公司 | 发明人 | 迈克尔·尤金·米勒;约翰·威廉·哈默;罗纳德·史蒂文·科克 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;吕俊刚 |
| 主权项 | 一种区域发射发光二极管(LED)装置，该区域发射发光二极管装置包括：a)基板，其具有内基板表面、与该内基板表面相对的外基板表面、以及基板边缘；b)形成在所述内基板表面上的区域发射LED像素的阵列，在所述基板边缘与所述内基板表面上最靠近所述基板边缘的LED像素之间具有边缘间隙；以及c)光提取结构，其被形成在所述边缘间隙中并且至少部分地在所述LED像素的外部。 | ||
| 地址 | 美国弗吉尼亚州 | ||