大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法。其大功率倒装阵列LED芯片结构为：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型缓冲层（3）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓冲层（3）、n型半导体层（6）、有源层（7）、p型半导体层（8）、透明电极层（9）、p电极层（10）；相邻两个阵列单元之间是n电极（5）；并且n电极（5）和p电极层（10）由绝缘层（4）包覆；在绝缘层（4）包覆的p电极层（10）窗口上方覆盖外接金属散热层（11）。蓝宝石衬底（2）的出光面处理为粗糙化表面（1）。芯片的p电极采用光反射率较高的银或铝等金属。

主权项

一种大功率倒装阵列LED芯片，包括衬底、n型半导体层、有源层、p型半导体层、电极层、绝缘层、外接金属层和钝化层，其特征在于：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型半导体层（6）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓冲层（3）、n型半导体层（6）、有源层（7）、p型半导体层（8）、透明电极层（9）、p电极层（10）；相邻两个阵列单元之间是n电极（5）；并且n电极（5）和p电极层（10）由绝缘层（4）包覆；在绝缘层（4）包覆的p电极层（10）窗口上方覆盖外接金属散热层（11），在外接金属散热层（11）表面还有钝化层（12）。