发明名称 比较器及包含该比较器的D类音频功率放大器
摘要 本发明公开了一种比较器及包含该比较器的D类音频功率放大器。所述比较器包括:输入电路,用于接收差分信号,产生放大输出信号;迟滞调节电路,用于设置迟滞窗口,调节所述输入电路的输出信号;输出电路,用于接收所述输入电路的输出信号,产生宽摆幅输出信号。本发明提供一种输入电压范围为电源电压到接地电压大范围内正常工作的比较器,通过迟滞调节电路的调节,可以精确的设置迟滞窗口,从而很好的抑制噪声,输出电路不仅响应快,而且具有输出摆幅大的特点。
申请公布号 CN101557216B 申请公布日期 2011.12.07
申请号 CN200910126624.7 申请日期 2009.03.05
申请人 深圳市民展科技开发有限公司 发明人 石立勇;许乐平;朱樟明;李建锋
分类号 H03K5/24(2006.01)I;H03F3/217(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I 主分类号 H03K5/24(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静
主权项 一种比较器,其特征在于,包括:输入电路,用于接收差分信号,产生放大输出信号,其中,所述输入电路包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管的栅极和所述第四PMOS晶体管的栅极连接作为所述输入电路的第一输入端子,所述第二NMOS晶体管的栅极和所述第三PMOS晶体管的栅极连接作为所述输入电路的第二输入端子,所述输入电路通过所述第一输入端子和所述第二输入端子接收所述差分信号;迟滞调节电路,用于设置迟滞窗口,调节所述输入电路的输出信号;输出电路,用于接收所述输入电路的输出信号,产生输出信号;其中,所述迟滞调节电路包括第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第十PMOS晶体管、第十一NMOS晶体管、第十二NMOS晶体管、第十三NMOS晶体管、第十四NMOS晶体管、第十五NMOS晶体管和第十六NMOS晶体管;所述第五PMOS晶体管的栅极和漏极短接后接所述第二输出端子,所述第六PMOS晶体管的栅极、所述第七PMOS晶体管的漏极、所述第八PMOS晶体管的栅极、所述第十一NMOS晶体管的漏极连接到所述第五PMOS晶体管的漏极;所述第十PMOS晶体管的栅极和漏极短接后接所述第一输出端子,所述第九PMOS晶体管的栅极、所述第八PMOS晶体管的漏极、所述第七PMOS晶体管的栅极、所述第十六NMOS晶体管的漏极连接到所述第十PMOS晶体管的漏极;所述第十二NMOS晶体管的栅极和漏极短接后接所述第三输出端子,所述第十一NMOS晶体管的栅极、所述第十三NMOS晶体管的漏极、所述第十四NMOS晶体管的栅极连接到所述第十二NMOS晶体管的漏极;所述第十五NMOS晶体管的栅极和漏极短接后接所述第四输出端子,所述第十六NMOS晶体管的栅极、所述第十四NMOS晶体管的漏极、所述第十三NMOS晶体管的栅极连接到所述第十五NMOS晶体管的漏极;所述第十一NMOS晶体管的源极、所述第十二NMOS晶体管的源极、所述第十三NMOS晶体管的源极、所述第十四NMOS晶体管的源极、所述第十五NMOS晶体管的源极、所述第十六NMOS晶体管的源极分别连接接地电压;所述第五PMOS晶体管的源极、所述第六PMOS晶体管的源极、所述第七PMOS晶体管的源极、所述第八PMOS晶体管的源极、所述第九PMOS晶体管的源极、所述第十PMOS晶体管的源极分别连接电源电压VDD。
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