| 主权项 |
一种用以封装一装置的方法，包含下列步骤：将一或多个牺牲层沉积在一基板上，该一或多个牺牲层形成一个体，其实质上相当于欲形成的一第一孔洞的一形状，该一或多个牺牲层额外具有一或多个自该个体延伸的释放片；在该一或多个牺牲层上形成一装置；将一第一封装层沉积在该一或多个牺牲层上，该第一封装层与该基板接触；蚀刻该第一封装层，以曝露该一或多个释放片，以形成一第一封装侧壁，其自该第一封装层的一顶部延伸至该基板，该一或多个释放片延伸超出该第一封装侧壁；移除该一或多个牺牲层，以在该第一封装层和该基板之间形成一或多个开口，及在该基板、该第一封装层和该第一封装侧壁之间形成该第一孔洞；及将一第二封装层沉积在该第一封装层上，以密封该开口，其中该一或多个牺牲层包含一第一牺牲层和一第二牺牲层，该方法更包括下列步骤：蚀刻该第一牺牲层，以曝露该基板的一电极；将一导电层沉积在该第一牺牲层和该电极之上；将该第二牺牲层沉积在该导电层和该第一牺牲层之上；及蚀刻该第二牺牲层。 |
