| 主权项 |
一种清洁光阻剂及自微电子基材之残余物之非水性清洁组合物，该清洁组合物包含：以组合物重量计80%或以上之一或多种极性有机溶剂，以组合物重量计1%至15%之一或多种有机羟基化胺，及以组合物重量计0.1%至10%之腐蚀抑制量之一或多种腐蚀抑制剂聚合物，其具有与聚合物主链侧连之多官能基且其中该官能侧基系选自胺基及羟基。如请求项1之清洁组合物，其中该腐蚀抑制剂聚合物系选自聚乙烯亚胺聚合物及共聚物、聚乙烯醇聚合物及共聚物、聚苯乙烯聚合物及共聚物、及聚(羟基烷基丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯)聚合物及共聚物。如请求项1之清洁组合物，其中极性有机溶剂系选自环丁碸、3-甲基环丁碸、正丙基碸、二甲基亚碸、甲基碸、正丁基碸、环丁碸、3-甲基环丁碸、1-(2-羟基乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、二甲基哌啶酮、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基乙醯胺及二甲基甲醯胺所组成之群。如请求项1之清洁组合物，其中羟基化胺系选自羟基胺及烷醇胺所组成之群。如请求项4之清洁组合物，其中羟基化胺系选自羟基胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺，2-胺基乙醇、1-胺基-2-丙醇、1-胺基-3-丙醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、2-(2-胺基乙基胺基)乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙胺及其混合物所组成之群。如请求项5之清洁组合物，其中羟基化胺系选自二乙醇胺及1-胺基-2-丙醇所组成之群。如请求项1之清洁组合物，其中有机极性溶剂系选自N-甲基吡咯烷酮、环丁碸、二甲基亚碸及其混合物所组成之群，羟基化胺系选自二乙醇胺及1-胺基-2-丙醇所组成之群。如请求项1之清洁组合物，其中聚合腐蚀抑制剂系选自聚乙烯亚胺及聚(乙烯醇-共-乙烯)所组成之群。如请求项7之清洁组合物，其中聚合腐蚀抑制剂系选自聚乙烯亚胺及聚(乙烯醇-共-乙烯)所组成之群。如请求项1之清洁组合物，其中聚合腐蚀抑制剂为聚乙烯亚胺。如请求项7之清洁组合物，其中聚合腐蚀抑制剂为聚乙烯亚胺。如请求项1之清洁组合物，其中聚合腐蚀抑制剂为聚(乙烯醇-共-乙烯)。如请求项7之清洁组合物，其中聚合腐蚀抑制剂为聚(乙烯醇-共-乙烯)。如请求项1之清洁组合物，其包含N-甲基吡咯烷酮、环丁碸、二甲基亚碸、二乙醇胺及聚(乙烯醇-共-乙烯)。如请求项1之清洁组合物，其包含N-甲基吡咯烷酮、环丁碸、二甲基亚碸、1-胺基-2-丙醇及聚乙烯亚胺。如请求项1之清洁组合物，其包含一或多种成份，选自以下所组成之群：(a)含羟基或多羟基脂肪族共溶剂，(b)包含二或多个直接键合至芳香族环之OH、OR6及/或SO2R6R7基团之腐蚀抑制芳基化合物，其中R6、R7及R8各分别选自烷基及芳基所组成之群，(c)金属错合剂，(d)不同金属腐蚀抑制化合物，及(e)界面活性剂。一种清洁光阻剂或自微电子基材之残余物之方法，该方法包括将基材与清洁组合物接触一段足以清洁光阻剂或自基材之残余物之时间，其中清洁组合物包含请求项1至16中任一项之组合物。如请求项17之方法，其中欲清洁之微电子基材具有铜金属化存在之特性。 |
