半导体装置

主权项

一种半导体装置，包含：一半导体基板；一多层互连结构，具有依序形成在该半导体基板上的一第一绝缘膜及一第二绝缘膜，以及分别形成在该第一绝缘膜及该第二绝缘膜中的互连；一密封环，当从该多层互连结构的顶部观看时，系形成在一元件形成区域的外周围上；一第一虚设金属结构，系形成在该第一绝缘膜中，并且当从该顶部观看时，系形成在该密封环的外周围上；及一第二虚设金属结构，系形成在该第二绝缘膜中，并且当从该顶部观看时，系形成在该第一虚设金属结构与该密封环之间，其中该第一虚设金属结构及该第二虚设金属结构系彼此相邻配置，且当从该顶部观看时并不相互重叠；且该第一虚设金属结构的上表面系配置在等于或高于该第二虚设金属结构之下表面的高度上。