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Eine thermisch hervorgerufene Verspannung in einem Halbleiterchip, d. h. in einem komplexen Metallisierungssystem davon, wird verringert, indem ein Gehäusesubstrat in zwei oder mehr Substratabschnitte „unterteilt” wird, die dazwischen ausgebildet ein geeignetes Verspannungspuffergebiet besitzen, beispielsweise ein Gebiet mit erhöhter Nachgiebigkeit. In diesem Falle wird die Gesamtdeformation des Gehäusesubstrats verringert, wodurch ebenfalls die thermisch hervorgerufenen Verspannungskräfte in dem komplexen Metallisierungssystem des Halbleiterchips reduziert werden. Somit können eine vorgegebene Größe und Komplexität eines Metallisierungssystems, eine höhere Produktionsausbeute und eine verbesserte Zuverlässigkeit erreicht werden. |
