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Bei einem bekannten Verfahren zur Herstellung einereitgestellt, an deren Innenseite eine tiegelförmige Körnungsschicht aus SiO2-Körnung ausgeformt wirich hat. Auf mindestens einem Teil der porösen Körnungsschicht wird eine Hautschicht aus blasenarmem Quarzglas ausgebildet. Durch Anlegen eines Unterdrucks werden gasförmige Komponenten mindestens aus einem Teil der an die Hautschicht angrenzenden Körnungsschicht entfernt, und die Körnungsschicht wird unter Bildung des Quarzglastiegels mit einer Tiegelhöhe H verglast. Um hiervon ausgehend einen Quarzglastiegel herzustellen, der den Ansetzprozess erleichtert und bei dem die Gefahr des Eintrags von Verunreinigungen in die Siliziumschmelze gering ist, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass der Unterdruck in einem unteren Bereich der Körnungsschicht angelegt wird, und dass in einem oberen ringförmigen Bereich der Körnungsschicht beim Verglasen unterhalb der Hautschicht und an diese angrenzend eine Blasenzone erzeugt wird, die gasgefüllte Blasen mit einem spezifischen Blasenvolumen enthält, das mindestens doppelt so groß ist wie das spezifische Volumen gasgefüllter Blasen in der Hautschicht.
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