Verfahren zur Züchtung von II-VI-Halbleiterkristallen und II-VI-Halbleiterschichten

摘要

Es wird ein Verfahren zur Züchtung von II–VI-Halbleiterkristallen und II–VI-Halbleiterschichten sowie von Kristallen und Schichten deren ternärer Verwandten aus der flüssigen oder gasförmigen Phase vorgeschlagen, bei dem in einem der Kristallzüchtung dienenden Züchtungsraum Kohlenmonoxid als Reduktionsmittel zur Verfügung gestellt wird.