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Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silicium, die Fluor enthält, wobei die Fluor-Konzentration 1·1010 bis 1·1015 Atome/cm3 beträgt, und die frei ist von agglomerierten intrinsischen Punktdefekten, deren Durchmesser gleich oder größer ist, als ein kritischer Durchmesser im Bereich von 5 bis 60 nm.
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