发明名称 Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Siliziumstäben unter Steuern desZiehgeschwindigkeitsverlaufs in einem Heißzonenofen
摘要 Verfahren zum Herstellen eines Siliziumstabs in einem Heißzonenofen, aufweisend die Schritte: Ziehen eines Referenzstabs bei einem Referenz-Ziehgeschwindigkeitsverlauf mit über die Stablänge hin unterschiedlichen Ziehgeschwindigkeiten; Identifizieren einer Axialposition in dem Referenzstab, die den kleinsten fehlstellenreichen Bereich aufweist und frei von Zwischengitterplatz-Agglomeraten ist, durch Axiales Schneiden des Referenzstabs und Ermitteln der entsprechenden Axialposition in dem axial geschnittenen Referenzstab; oder Radiales Schneiden des Referenzstabs in mehrere Wafer und Ermitteln der entsprechenden Axialposition; und Bestimmen eines ersten kritischen Verhältnisses von Ziehgeschwindigkeit zu Temperaturgradient, das entlang der Stab/Schmelze-Grenzfläche nicht unterschritten werden darf, damit das Entstehen von Zwischengitterplatz-Agglomeraten dadurch verhindert wird, dass die Zwischengitterplatz-Punktdefektkonzentration an der Achse des Stabs jeweils bis zu Punkten, die eine Diffusionslänge vom Rand des Stabs entfernt sind, unterhalb derjenigen kritischen Zwischengitterplatz-Punktdefektkonzentration, ab der Zwischengitterplatz-Punktdefekte zu Agglomeraten zusammenwachsen, gehalten wird, aus der der identifizierten Axialposition zugeordneten Ziehgeschwindigkeit im Referenzstab; Bestimmen eines zweiten kritischen...
申请公布号 DE19806045(B4) 申请公布日期 2011.12.01
申请号 DE1998106045 申请日期 1998.02.13
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 PARK, JEA-GUN;CHO, KYOO-CHUL;LEE, GON-SUB
分类号 C30B15/20;H01L21/322;C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06;H01L21/208 主分类号 C30B15/20
代理机构 代理人
主权项
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