非易失性存储器件及制造方法与包括其的存储模块和系统

摘要

本发明公开非易失性存储器件及制造方法与包括其的存储模块和系统。一种非易失性存储器件包括：衬底；从衬底突出的沟道层；围绕沟道层的栅极导电层；被布置在沟道层和栅极导电层之间的栅极绝缘层；以及第一绝缘层，其与沟道层隔开，并且被布置在栅极导电层的顶部和底部上。栅极绝缘层在栅极导电层和第一绝缘层之间延伸。

主权项

一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括：形成沟道孔，所述沟道孔穿过多个牺牲绝缘层和多个第一绝缘层的堆叠结构，所述堆叠结构被布置在衬底上；在所述沟道孔的侧壁上形成牺牲间隔物；在所述牺牲间隔物上形成半导体沟道层；蚀刻所述堆叠结构中的所述多个牺牲绝缘层和所述牺牲间隔物，从而暴露所述半导体沟道层的侧壁；在所述半导体沟道层的暴露的侧壁上形成栅极导电层。