| 发明名称 | 多行引线框架的结构及其半导体封装及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于半导体封装的多行引线框架，其特征在于：在引线框架材料上形成电镀图形(第一步)；在该电镀图形上形成保护图形(第二步)；以及利用该保护图形作为掩模形成纳米图形(第三步)，由此在电镀图形顶面上形成保护图形，以防止引线框架图形形成过程中刻蚀溶液对电镀层造成损害从而提高产品可靠性，并由此解决了利用电镀层作为刻蚀掩模的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102265394A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN200980152298.5 | 申请日期 | 2009.12.23 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 千贤雅;崔宰凤;李诚远;柳盛旭;李赫洙;严塞兰 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 林锦辉;陈英俊 |
| 主权项 | 一种多行引线框架制造方法，其特征在于：在引线框架材料上形成电镀图形(第一步)；在该电镀图形上形成保护图形(第二步)；以及利用该保护图形作为掩模形成纳米图形(第三步)。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||